Ga1- xInxAsySb1- y/GaSb spherical quantum dot in a magnetic field (2012)
Las aleaciones cuaternarias tipo-I son materiales apropiados para dispositivos de heteroestructura, porque proveen una forma natural de ajustar la magnitud de la brecha de energía de modo que pueden operar en longitudes de onda en el rango del infrarrojo-medio (IR-m). Sin embargo, los grados de libertad del spin y el desdoblamiento de los estados electrónicos de spin a causa del factor g, permiten nuevas rutas para desarrollar sistemas prácticos de comunicación cuántica, lo anterior se debe a que el factor electrónico efectivo gen semiconductores III-V varía en función de la concentración química. Nosotros investigamos teóricamente el factor electrónico g en Ga1−xInxAsySb1−y sobre GaSb para el material en bloque, el efecto Zeeman y niveles de Landau en puntos cuánticos esféricos de GaSb/Ga 1−xInxAsySb1−y/GaSb bajo el modelo de ocho bandas con masa efectiva de Kane, en el cual la interacción de estados entre el fondo de la banda de conducción y el tope de la banda de valencia es considerado. Nuestros cálculos muestran que los valores del factor electrónico g para el material en bloque se encuentran en el rango entre el factor g medido en bloque de GaSb, cuando x → 0 (g = −9.25) y el valor medido en bloque de InAs cuando x → 1 (g =-18.08) con un notable mínimo del valor (g ≈ −23.14) en x ≈ 0.67. En el punto cuántico esférico GaSb/Ga 1−xInxAsySb1−y/GaSb, nuestros cálculos muestran que el factor electrónico g disminuye a medida que el radio aumenta, alcanzando el valor límite para el cuaternario en bloque, correspondiente a una concentración dada de In, x, y aumenta cuando el radio disminuye aproximándose al valor en el material ´ de la barrera cuando R → 0. Además, para valores altos de concentración de In el factor g como función del radio se desplaza hacia el valor del factor g del bloque límite