Magnetoexcitons bound to ionized-donor impurities in GaAs/AlxGa1−xAs quantum wells
La energía de enlace de los excitones de Wannier unidos a las impurezas de donantes ionizados, D+, en GaAs / AlxGa 1−xComo pozos cuánticos, se estudia utilizando la aproximación de masa efectiva dentro de un enfoque variacional, en función del ancho del pozo para diferentes alturas de barrera y camp...
- Autores:
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Vivas Moreno, Jose Joaquin
Porras Montenegro, Nelson
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2010
- Institución:
- Universidad Autónoma de Occidente
- Repositorio:
- RED: Repositorio Educativo Digital UAO
- Idioma:
- eng
- OAI Identifier:
- oai:red.uao.edu.co:10614/11998
- Acceso en línea:
- http://red.uao.edu.co//handle/10614/11998
https://doi.org/10.1016/j.physe.2010.06.021
- Palabra clave:
- Energía de enlace
Campos electromagnéticos
Electromagnetic fields
Binding energy
- Rights
- closedAccess
- License
- Derechos Reservados - Universidad Autónoma de Occidente
| Summary: | La energía de enlace de los excitones de Wannier unidos a las impurezas de donantes ionizados, D+, en GaAs / AlxGa 1−xComo pozos cuánticos, se estudia utilizando la aproximación de masa efectiva dentro de un enfoque variacional, en función del ancho del pozo para diferentes alturas de barrera y campos magnéticos aplicados en la dirección de crecimiento. Nuestros cálculos están dedicados a magnetoexcitones de agujeros pesados. Como era de esperar, encontramos que la energía de enlace de un excitón de orificios pesados unido a una impureza ionizada de un donante aumenta con la concentración de Al, así como con el campo magnético aplicado. En caso contrario, encontramos que es superior al correspondiente para excitones de agujero pesado sin impurezas reportados por otros autores. Además, encontramos que la energía de enlace del excitón de agujero pesado unido a una impureza ionizada donante es mayor (menor) para un ancho de pozo cuántico mayor (menor). |
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