Impedance spectra under forward and reverse bias conditions in gold/porous silicon/p-Si structures
Se presenta la caracterización eléctrica de CA de la estructura de Au / silicio poroso / p-Si. Las capas de silicio poroso de baja porosidad se prepararon mediante ataque electroquímico en silicio de tipo p100 con dos resistividades. Las medidas eléctricas de CA capacitancia-conductancia-frecuencia...
- Autores:
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Fonthal Rico, Faruk
Chavarria, Mario Andrés
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2011
- Institución:
- Universidad Autónoma de Occidente
- Repositorio:
- RED: Repositorio Educativo Digital UAO
- Idioma:
- eng
- OAI Identifier:
- oai:red.uao.edu.co:10614/11997
- Acceso en línea:
- http://red.uao.edu.co//handle/10614/11997
- Palabra clave:
- porous silicon
impedance spectra
equivalent circuit models
metal−semiconductors structure
capacitance
- Rights
- openAccess
- License
- Derechos Reservados - Universidad Autónoma de Occidente
| Summary: | Se presenta la caracterización eléctrica de CA de la estructura de Au / silicio poroso / p-Si. Las capas de silicio poroso de baja porosidad se prepararon mediante ataque electroquímico en silicio de tipo p100 con dos resistividades. Las medidas eléctricas de CA capacitancia-conductancia-frecuencia se realizaron de 5 Hz a 10 MHz, a temperatura ambiente en el rango de CC de +/- 2 V. Estudiamos dos estructuras; primero un conductor tipo Au / PS / Au y segundo un diodo tipo Au / PS / p-Si / Al. Encontramos la relación entre el voltaje de polarización en las heteroestructuras de PS / p-Si con la formación de la región de agotamiento y el mecanismo de conducción presente en estas estructuras. (C) 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim |
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