Impedance spectra under forward and reverse bias conditions in gold/porous silicon/p-Si structures

Se presenta la caracterización eléctrica de CA de la estructura de Au / silicio poroso / p-Si. Las capas de silicio poroso de baja porosidad se prepararon mediante ataque electroquímico en silicio de tipo p100 con dos resistividades. Las medidas eléctricas de CA capacitancia-conductancia-frecuencia...

Full description

Autores:
Fonthal Rico, Faruk
Chavarria, Mario Andrés
Tipo de recurso:
Article of journal
Fecha de publicación:
2011
Institución:
Universidad Autónoma de Occidente
Repositorio:
RED: Repositorio Educativo Digital UAO
Idioma:
eng
OAI Identifier:
oai:red.uao.edu.co:10614/11997
Acceso en línea:
http://red.uao.edu.co//handle/10614/11997
Palabra clave:
porous silicon
impedance spectra
equivalent circuit models
metal−semiconductors structure
capacitance
Rights
openAccess
License
Derechos Reservados - Universidad Autónoma de Occidente
Description
Summary:Se presenta la caracterización eléctrica de CA de la estructura de Au / silicio poroso / p-Si. Las capas de silicio poroso de baja porosidad se prepararon mediante ataque electroquímico en silicio de tipo p100 con dos resistividades. Las medidas eléctricas de CA capacitancia-conductancia-frecuencia se realizaron de 5 Hz a 10 MHz, a temperatura ambiente en el rango de CC de +/- 2 V. Estudiamos dos estructuras; primero un conductor tipo Au / PS / Au y segundo un diodo tipo Au / PS / p-Si / Al. Encontramos la relación entre el voltaje de polarización en las heteroestructuras de PS / p-Si con la formación de la región de agotamiento y el mecanismo de conducción presente en estas estructuras. (C) 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim