Electrical and optical characterization of macroporous silicon antireflection coating for solar cells
Se ha obtenido una capa de silicio macroporoso (ma-PS) formada electroquímicamente sobre una superficie de silicio cristalino tipo n (n-Si), con el fin de mejorar la absorción óptica y desarrollar capas antirreflectoras (ARC) para celdas solares. Un modelo eléctrico fue propuesto para explicar la me...
- Autores:
-
Fonthal Rico, Faruk
Torres Chávez, Ivaldo
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2014
- Institución:
- Universidad Autónoma de Occidente
- Repositorio:
- RED: Repositorio Educativo Digital UAO
- Idioma:
- eng
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- oai:red.uao.edu.co:10614/10696
- Acceso en línea:
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- Palabra clave:
- Silicio poroso - Propiedades eléctricas
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Ataque electroquímico
Capas antirreflectivas
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Antireflection coating
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Se ha obtenido una capa de silicio macroporoso (ma-PS) formada electroquímicamente sobre una superficie de silicio cristalino tipo n (n-Si), con el fin de mejorar la absorción óptica y desarrollar capas antirreflectoras (ARC) para celdas solares. Un modelo eléctrico fue propuesto para explicar la medición de la curva típica de corriente – voltaje (C – V). El desarrollo de las capas antirreflectivas ma-PS/n-Si fue evaluado a través de la medición de la reflectividad a 45°, en un rango de longitud de onda desde 200 a 1100 nm, obteniendo valores muy bajos del coeficiente de reflectividad (por debajo de ~10 %). |
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El desarrollo de las capas antirreflectivas ma-PS/n-Si fue evaluado a través de la medición de la reflectividad a 45°, en un rango de longitud de onda desde 200 a 1100 nm, obteniendo valores muy bajos del coeficiente de reflectividad (por debajo de ~10 %).Macroporous Silicon (ma-PS) on crystalline silicon type – n (n-Si) diodes were obtained by electrochemical etching of Si wafers, which improve the optic absorption by antireflective coatings (ARC) in solar cells. An electrical model was proposed in order to explain the measured current-voltage characteristics (I – V). The ma-PS/n-Si’s performance as antireflection coating was evaluated by reflectivity measurements at 45º in the wavelength range from 200 to 1100 nm, resulting in very low reflectance values (below ~10%)application/pdf6 páginasengUniversidad Autónoma de OccidenteEl hombre y la máquina No. 45, (jul.-dic. 2014)804575Fonthal, F., & Torres, I. (2014). Electrical and optical characterization of macroporous silicon antireflection coating for solar cells. El hombre y la máquina, (45), 75-80. http://hdl.handle.net/10614/10696El hombre y la máquinaAbdRahim, A. F., Hashim, M. R. & Ali, N. K. (2011). Physica B, 406, 1034.Balagurov, L. et al. (2001). Appl. Phys., 90, 9, 4543.Chen, C. W. et al. (2015). IEEE J. Photovoltaics, 5, 1, 123.Ernst, M. et al. (2013). Energy Procedia, 38, 910Fonthal, F. & Chavarria, M. (2011). Physica Stat. Sol. C, 8, 6, 1913Fonthal, F., Torres, I. & Rodríguez, A. (2011). Mater. Sci: Mater. Electron., 22, 895Kanungo, J., Maji, S., Saha, H. & Basu, S. (2009). Solid-State Elect., 53, 663.Ou, W., Zhao, L., Li, Z., Diao, H. & Wang, W. (2012). Int. J. Mater. and Mechanics Eng., 1, 1Parimi, V. S., Tadigadapa, S. A. & Yetter, R. A. (2014). Chem. Phys. Lett., 609, 129Salman, K. A., Hassan, Z. & Omar, K. (2012). Int. J. Electrochem. Sci., 7, 1, 376Xiao, S. H., Wang, R. H. & Bao, Y. J. (2012). Funct. 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