Electrical and optical characterization of macroporous silicon antireflection coating for solar cells

Se ha obtenido una capa de silicio macroporoso (ma-PS) formada electroquímicamente sobre una superficie de silicio cristalino tipo n (n-Si), con el fin de mejorar la absorción óptica y desarrollar capas antirreflectoras (ARC) para celdas solares. Un modelo eléctrico fue propuesto para explicar la me...

Full description

Autores:
Fonthal Rico, Faruk
Torres Chávez, Ivaldo
Tipo de recurso:
Article of journal
Fecha de publicación:
2014
Institución:
Universidad Autónoma de Occidente
Repositorio:
RED: Repositorio Educativo Digital UAO
Idioma:
eng
OAI Identifier:
oai:red.uao.edu.co:10614/10696
Acceso en línea:
http://hdl.handle.net/10614/10696
Palabra clave:
Silicio poroso - Propiedades eléctricas
Porous silicon - Electric properties
Ataque electroquímico
Capas antirreflectivas
Electrochemical etching
Antireflection coating
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openAccess
License
Derechos Reservados - Universidad Autónoma de Occidente
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description Se ha obtenido una capa de silicio macroporoso (ma-PS) formada electroquímicamente sobre una superficie de silicio cristalino tipo n (n-Si), con el fin de mejorar la absorción óptica y desarrollar capas antirreflectoras (ARC) para celdas solares. Un modelo eléctrico fue propuesto para explicar la medición de la curva típica de corriente – voltaje (C – V). El desarrollo de las capas antirreflectivas ma-PS/n-Si fue evaluado a través de la medición de la reflectividad a 45°, en un rango de longitud de onda desde 200 a 1100 nm, obteniendo valores muy bajos del coeficiente de reflectividad (por debajo de ~10 %).
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El desarrollo de las capas antirreflectivas ma-PS/n-Si fue evaluado a través de la medición de la reflectividad a 45°, en un rango de longitud de onda desde 200 a 1100 nm, obteniendo valores muy bajos del coeficiente de reflectividad (por debajo de ~10 %).Macroporous Silicon (ma-PS) on crystalline silicon type – n (n-Si) diodes were obtained by electrochemical etching of Si wafers, which improve the optic absorption by antireflective coatings (ARC) in solar cells. An electrical model was proposed in order to explain the measured current-voltage characteristics (I – V). The ma-PS/n-Si’s performance as antireflection coating was evaluated by reflectivity measurements at 45º in the wavelength range from 200 to 1100 nm, resulting in very low reflectance values (below ~10%)application/pdf6 páginasengUniversidad Autónoma de OccidenteEl hombre y la máquina No. 45, (jul.-dic. 2014)804575Fonthal, F., & Torres, I. (2014). Electrical and optical characterization of macroporous silicon antireflection coating for solar cells. El hombre y la máquina, (45), 75-80. http://hdl.handle.net/10614/10696El hombre y la máquinaAbdRahim, A. F., Hashim, M. R. & Ali, N. K. (2011). Physica B, 406, 1034.Balagurov, L. et al. (2001). Appl. Phys., 90, 9, 4543.Chen, C. W. et al. (2015). IEEE J. Photovoltaics, 5, 1, 123.Ernst, M. et al. (2013). Energy Procedia, 38, 910Fonthal, F. & Chavarria, M. (2011). Physica Stat. Sol. C, 8, 6, 1913Fonthal, F., Torres, I. & Rodríguez, A. (2011). Mater. Sci: Mater. Electron., 22, 895Kanungo, J., Maji, S., Saha, H. & Basu, S. (2009). Solid-State Elect., 53, 663.Ou, W., Zhao, L., Li, Z., Diao, H. & Wang, W. (2012). Int. J. Mater. and Mechanics Eng., 1, 1Parimi, V. S., Tadigadapa, S. A. & Yetter, R. A. (2014). Chem. Phys. Lett., 609, 129Salman, K. A., Hassan, Z. & Omar, K. (2012). Int. J. Electrochem. Sci., 7, 1, 376Xiao, S. H., Wang, R. H. & Bao, Y. J. (2012). Funct. 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