AVANCES EN LA APLICACIÓN DE POTENCIALES EFECTIVOS EN EL ESTUDIO DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS A NIVEL ATOMÍSTICO

Se presentan adelantos recientes en el método de potenciales efectivos para el estudio de nanoestructuras semiconductoras a nivel atomístico. Se demuestra que el esquema de derivación de potenciales efectivos, a partir de cálculos basados en la teoría del funcional de la densidad en la aproximación de densidad local, puede ser extendido a diferentes composiciones y no se restringe a materiales con igual número de aniones y cationes. Se muestra que el método puede ser aplicado a la derivación de potenciales atómicos de impurezas. Los resultados permiten concluir, gracias a la similitud de los resultados obtenidos usando potenciales efectivos y usando formalmente la teoría del funcional de la densidad, que la nueva generación de potenciales son lo suficientemente precisos para su aplicación al estudio de nanoestructuras semiconductoras, en donde el número de átomos supera el límite de los cálculos estándar realizados usando la teoría del funcional densidad.

• Autores: Cárdenas, Jairo Ricardo
• Tipo de recurso: Article of journal
• Fecha de publicación: 2016
• Institución: Universidad EIA .
• Repositorio: Repositorio EIA .
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repository.eia.edu.co:11190/4973
• Acceso en línea: https://repository.eia.edu.co/handle/11190/4973; https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.960
• Palabra clave: Nanociencia; cálculos de primeros principios; potenciales efectivos; materiales semiconductores; sistemas de baja dimensionalidad; cálculos Atomísticos.
• Rights: openAccess
• License: Revista EIA - 2016