Estudio de la influencia de la segregación de indio y del campo eléctrico interno en las propiedades ópticas de heteroestructuras de pozos cuánticos III-V
La segregación superficial de átomos en las aleaciones de semiconductores III-V produce interfaces abruptas y modifica los perfiles del potencial, alternando los estados electrónicos en el pozo cuántico y la energía de emisión en el espectro de fotoluminiscencia. En este trabajo se resuelve mediante...
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Pulzara Mora, Alvaro
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La segregación superficial de átomos en las aleaciones de semiconductores III-V produce interfaces abruptas y modifica los perfiles del potencial, alternando los estados electrónicos en el pozo cuántico y la energía de emisión en el espectro de fotoluminiscencia. En este trabajo se resuelve mediante serie de potencias la ecuación de Schrödinger considerando un potencial simétrico tipo Cauchy, el cual es suave y decreciente al infinito. Se propone dicho potencial debido a los cambios en el perfil del potencial del pozo cuántico por la segregación de átomos durante el proceso de crecimiento. Se determinó la energía del estado base en función de los parámetros que caracterizan este potencial. Este modelo fue aplicado al caso particular de la segregación de indio en el sistema InGaAs/GaAs. La energía de transición del estado base se calcula a partir de las diferencias de energía entre el electrón y el hueco en función del ancho del pozo. Dichos cálculos están de acuerdo con los picos de energía de fotoluminiscencia reportados. Adicionalmente, la influencia del campo eléctrico debido al efecto piezoeléctrico en la emisión de fotoluminiscencia es estudiada. Para esto se consideró una función de onda variacional de electrones y se calculó la transición de energía del estado base en la región activa de la heteroestructura a partir de las diferencias de energía de electrones y huecos en función del ancho del pozo y del campo eléctrico. Para pozos cuánticos de InGaAs/GaAs la energía base es ajustada dentro de este modelo coincidiendo nuestros cálculos teóricos con la parte experimental. |
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Journal of Applied Physics, 84(3), pp. 1595–1601. https://doi.org/10.1063/1.368229 Chenini, L.; Aissat, A.; Ammi, S.; Vilcot, J. P. (2021). Investigation of temperature, well width and composition effects on the intersubband absorption of InGaAs/GaAs quantum wells. Lecture Notes in Electrical Engineering, 681, pp. 325–332. https://doi.org/10.1007/978-981-15-6259-4_34 Deng, Z.; Jiang, Y.; Wang, W.; Cheng, L.; Li, W.; Lu, W.; Jia, H.; Liu, W.; Zhou, J.; Chen, H. (2014). Indium segregation measured in InGaN quantum well layer. Scientific Reports, 4, pp. 6734. https://doi.org/10.1038/srep06734 Dickey, S. A.; Majerfeld, A.; Sánchez-Rojas, J. L.; Sacedón, A.; Muñoz, E.; Sanz-Hervás, A.; Aguilar, M.; Kim, B. W. (1998). Direct determination of the piezoelectric field in (111) strained InGaAs/GaAs multiple quantum well p-i-n structures by photoreflectance. Microelectronic Engineering, 43–44, pp. 171–177. https://doi.org/10.1016/S0167-9317(98)00160-9 Dong, H.; Sun, J.; Ma, S.; Liang, J.; Lu, T.; Liu, X.; Xu, B. (2016). Influence of substrate misorientation on the photoluminescence and structural properties of InGaAs/GaAsP multiple quantum wells. Nanoscale, 8(11), pp. 6043–6056. https://doi.org/10.1039/C5NR07938A G. Gonzalez de la Cruz. (2004). The Influence of surface segregation on the optical properties of semiconductor quantum wells. Journal of Applied Physics, 96(7), pp. 3752–3755. https://doi.org/DOI: 10.1063/1.1789628 Gonzalez de la Cruz, G.; Arenas, A. C.; Herrera, H. (2005). Internal electric-field and segregation effects on luminescence properties of quantum wells. Journal of Applied Physics, 98(2). https://doi.org/10.1063/1.1954889 Hiyamizu, S.; Ohno, Y.; Higashiwaki, M.; Shimomura, S. (1999). In0.15Ga0.85As/GaAs quantum wire structures grown on (553)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 201(202), pp. 824–827. Loykaew, A.; Usher, B. F.; Jones, R. T.; Pigram, P. J. (2013). A Novel Sample Structure for the Measurement of Indium Segregation Profiles in GaAs/InGaAs/GaAs Heterostructures. International Journal of Applied Physics and Mathematics, 3(3), pp. 191–197. https://doi.org/10.7763/IJAPM.2013.V3.204 Martínez-Rendón, V.; Castaño-Uribe, C.; Giraldo-Martínez, A.; González-Pereira, J. P.; Restrepo-Arango, R. L.; Morales-Armburu, Á. L.; Duque-Echeverri, C. A. (2016). Potencial de Morse como perfil de pozos cuánticos semiconductores. Revista EIA, 12(3), pp. 85–94. https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.966 Martini, S.; Manzoli, J. E.; Quivy, A. A. (2010). Study of the influence of indium segregation on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells via split-operator method. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena, 28(2), pp. 277–283. https://doi.org/10.1116/1.3301612 Massabuau, F. C.-P.; Rhode, S. L.; Horton, M. K.; O’Hanlon, T. J.; Kovács, A.; Zielinski, M. S.; Kappers, M. J.; Dunin-Borkowski, R. E.; Humphreys, C. J.; Oliver, R. A. (2017). Dislocations in AlGaN: Core Structure, Atom Segregation, and Optical Properties. Nano Letters, 17(8), pp. 4846–4852. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b01697 Mehrtens, T.; Müller, K.; Schowalter, M.; Hu, D.; Schaadt, D. M.; Rosenauer, A. (2013). Measurement of indium concentration profiles and segregation efficiencies from high-angle annular dark field-scanning transmission electron microscopy images. Ultramicroscopy, 131, pp. 1–9. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2013.03.018 Muraki, K.; Fukatsu, S.; Shiraki, Y. (1992). :Surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy and its influence on the energy levels in InGaAs/GaAs quantum wells. Applied Physics Letters, 61(5), pp. 10.1063/1.107835. Muraki, K.; Fukatsu, S.; Shiraki, Y.; Ito, R. (1992). Surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy and its influence on the energy levels in InGaAs/GaAs quantum wells. Applied Physics Letters, 61(5), pp. 557–559. https://doi.org/10.1063/1.107835 Rojas-Ramírez, J. S.; Goldhahn, R.; Moser, P.; Huerta-Ruelas, J.; Hernández-Rosas, J.; López-López, M. (2008). Temperature dependence of the photoluminescence emission from InxGa1-xAs quantum wells on GaAs(311) substrates. Journal of Applied Physics, 104(12), pp. 1–6. https://doi.org/10.1063/1.3043578 Schowalter, M.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D. (2006). Influence of surface segregation on the optical properties of semiconductor quantum wells. 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Vacuum, 60(4), pp. 425–429. https://doi.org/10.1016/S0042-207X(00)00223-2 Sun, D.; Towe, E. (1994). Strain-Generated Internal Fields in Pseudomorphic (In, Ga)As/GaAs Quantum Well Structures on {11l} GaAs Substrates. Japanese Journal of Applied Physics, 33(Part 1, No. 1B), pp. 702–708. https://doi.org/10.1143/JJAP.33.702 Vurgaftman, I.; Meyer, J. R.; Ram-Mohan, L. R. (2001). Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics, 89(11 I), pp. 5815–5875. https://doi.org/10.1063/1.1368156 Wu, S.; Huang, Z.; Liu, Y.; Huang, Q.; Guo, W.; Cao, Y. (2009a). The effects of indium segregation on the valence band structure and optical gain of GaInAs/GaAs quantum wells. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 41(9), pp. 1656–1660. https://doi.org/10.1016/j.physe.2009.05.019 Wu, S.; Huang, Z.; Liu, Y.; Huang, Q.; Guo, W.; Cao, Y. (2009b). The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 46(4), pp. 618–626. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2009.06.001 Yildirim, H.; Tomak, M. (2006). Optical absorption of a quantum well with an adjustable asymmetry. The European Physical Journal B, 50(4), pp. 559–564. https://doi.org/10.1140/epjb/e2006-00182-1 |
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Se determinó la energía del estado base en función de los parámetros que caracterizan este potencial. Este modelo fue aplicado al caso particular de la segregación de indio en el sistema InGaAs/GaAs. La energía de transición del estado base se calcula a partir de las diferencias de energía entre el electrón y el hueco en función del ancho del pozo. Dichos cálculos están de acuerdo con los picos de energía de fotoluminiscencia reportados. Adicionalmente, la influencia del campo eléctrico debido al efecto piezoeléctrico en la emisión de fotoluminiscencia es estudiada. Para esto se consideró una función de onda variacional de electrones y se calculó la transición de energía del estado base en la región activa de la heteroestructura a partir de las diferencias de energía de electrones y huecos en función del ancho del pozo y del campo eléctrico. Para pozos cuánticos de InGaAs/GaAs la energía base es ajustada dentro de este modelo coincidiendo nuestros cálculos teóricos con la parte experimental.The surface segregation in III-V semiconductor alloys produce abrupt interfaces, and modifies the potential profiles, alternating the electronic states in the quantum well and the emission energy in the photoluminescence spectrum. In this work, the Schrödinger equation is solved by means of a power series considering a Cauchy type symmetrical potential, which is soft and decreasing to infinity. This potential is proposed due to the changes in the potential profile from quantum well by the segregation of atoms during the growth process. The ground state energy was determined according to the parameters that characterize this potential. This model was applied to the particular case of indium segregation in the InGaAs/GaAs system. The ground state energy transition is calculated from the difference in energy between the electron and hole in function of well width. These calculations are in agreement with the reported photoluminescence peak energies. In addition, the influence of the electrical field due to the piezoelectric effect on the photoluminescence emission is studied. For this purpose, an electron variational wavefunction was considered and the ground state energy transition in the active region of the heterostructure was calculated from the difference in energy between the electron and hole in function of well width and the electric field. For InGaAs/GaAs quantum wells, the ground energy is adjusted within this model coinciding our theoretical calculations with the experimental part.application/pdfspaFondo Editorial EIA - Universidad EIARevista EIA - 2021https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0info:eu-repo/semantics/openAccessEsta obra está bajo una licencia internacional Creative Commons Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0.http://purl.org/coar/access_right/c_abf2https://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/view/1511Quantum wellsSchrödinger equationSegregationIII-V semiconductorsEcuación de SchrödingerPozos cuánticosSemiconductores III-VSegregaciónEstudio de la influencia de la segregación de indio y del campo eléctrico interno en las propiedades ópticas de heteroestructuras de pozos cuánticos III-VStudy of the influence of indium segregation and Internal electric-field on the optical properties of III-V quantum wells heterostructuresArtículo de revistaJournal articlehttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501http://purl.org/coar/resource_type/c_6501http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionTexthttp://purl.org/redcol/resource_type/ARTREFhttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85Ahn, D.; Chuang, S. L. (1986). Variational calculations of subbands in a quantum well with uniform electric field: Gram–Schmidt orthogonalization approach. Applied Physics Letters, 49(21), pp. 1450–1452. https://doi.org/10.1063/1.97299Bastard, G.; Mendez, E. E.; Chang, L. L.; Esaki, L. (1983). Variational calculations on a quantum well in an electric field. Physical Review B, 28(6), pp. 3241–3245. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.28.3241Bonef, B.; Catalano, M.; Lund, C.; Denbaars, S. P.; Nakamura, S.; Mishra, U. K.; Kim, M. J.; Keller, S. (2017). Indium segregation in N-polar InGaN quantum wells evidenced by energy dispersive X-ray spectroscopy and atom probe tomography. Applied Physics Letters, 110(14), pp. 143101. https://doi.org/10.1063/1.4979786Chan, C. H.; Chen, Y. F.; Chen, M. C.; Lin, H. H.; Jan, G. J.; Chen, Y. H. (1998). Photoreflectance spectroscopy of strained-layer (111)B InGaAs/GaAs quantum well diodes. Journal of Applied Physics, 84(3), pp. 1595–1601. https://doi.org/10.1063/1.368229Chenini, L.; Aissat, A.; Ammi, S.; Vilcot, J. P. (2021). Investigation of temperature, well width and composition effects on the intersubband absorption of InGaAs/GaAs quantum wells. Lecture Notes in Electrical Engineering, 681, pp. 325–332. https://doi.org/10.1007/978-981-15-6259-4_34Deng, Z.; Jiang, Y.; Wang, W.; Cheng, L.; Li, W.; Lu, W.; Jia, H.; Liu, W.; Zhou, J.; Chen, H. (2014). Indium segregation measured in InGaN quantum well layer. Scientific Reports, 4, pp. 6734. https://doi.org/10.1038/srep06734Dickey, S. A.; Majerfeld, A.; Sánchez-Rojas, J. L.; Sacedón, A.; Muñoz, E.; Sanz-Hervás, A.; Aguilar, M.; Kim, B. W. (1998). Direct determination of the piezoelectric field in (111) strained InGaAs/GaAs multiple quantum well p-i-n structures by photoreflectance. Microelectronic Engineering, 43–44, pp. 171–177. https://doi.org/10.1016/S0167-9317(98)00160-9Dong, H.; Sun, J.; Ma, S.; Liang, J.; Lu, T.; Liu, X.; Xu, B. (2016). Influence of substrate misorientation on the photoluminescence and structural properties of InGaAs/GaAsP multiple quantum wells. Nanoscale, 8(11), pp. 6043–6056. https://doi.org/10.1039/C5NR07938AG. Gonzalez de la Cruz. (2004). The Influence of surface segregation on the optical properties of semiconductor quantum wells. Journal of Applied Physics, 96(7), pp. 3752–3755. https://doi.org/DOI: 10.1063/1.1789628Gonzalez de la Cruz, G.; Arenas, A. C.; Herrera, H. (2005). Internal electric-field and segregation effects on luminescence properties of quantum wells. Journal of Applied Physics, 98(2). https://doi.org/10.1063/1.1954889Hiyamizu, S.; Ohno, Y.; Higashiwaki, M.; Shimomura, S. (1999). In0.15Ga0.85As/GaAs quantum wire structures grown on (553)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 201(202), pp. 824–827.Loykaew, A.; Usher, B. F.; Jones, R. T.; Pigram, P. J. (2013). A Novel Sample Structure for the Measurement of Indium Segregation Profiles in GaAs/InGaAs/GaAs Heterostructures. International Journal of Applied Physics and Mathematics, 3(3), pp. 191–197. https://doi.org/10.7763/IJAPM.2013.V3.204Martínez-Rendón, V.; Castaño-Uribe, C.; Giraldo-Martínez, A.; González-Pereira, J. P.; Restrepo-Arango, R. L.; Morales-Armburu, Á. L.; Duque-Echeverri, C. A. (2016). Potencial de Morse como perfil de pozos cuánticos semiconductores. Revista EIA, 12(3), pp. 85–94. https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.966Martini, S.; Manzoli, J. E.; Quivy, A. A. (2010). Study of the influence of indium segregation on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells via split-operator method. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena, 28(2), pp. 277–283. https://doi.org/10.1116/1.3301612Massabuau, F. C.-P.; Rhode, S. L.; Horton, M. K.; O’Hanlon, T. J.; Kovács, A.; Zielinski, M. S.; Kappers, M. J.; Dunin-Borkowski, R. E.; Humphreys, C. J.; Oliver, R. A. (2017). Dislocations in AlGaN: Core Structure, Atom Segregation, and Optical Properties. Nano Letters, 17(8), pp. 4846–4852. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b01697Mehrtens, T.; Müller, K.; Schowalter, M.; Hu, D.; Schaadt, D. M.; Rosenauer, A. (2013). Measurement of indium concentration profiles and segregation efficiencies from high-angle annular dark field-scanning transmission electron microscopy images. Ultramicroscopy, 131, pp. 1–9. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2013.03.018Muraki, K.; Fukatsu, S.; Shiraki, Y. (1992). :Surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy and its influence on the energy levels in InGaAs/GaAs quantum wells. Applied Physics Letters, 61(5), pp. 10.1063/1.107835.Muraki, K.; Fukatsu, S.; Shiraki, Y.; Ito, R. (1992). Surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy and its influence on the energy levels in InGaAs/GaAs quantum wells. Applied Physics Letters, 61(5), pp. 557–559. https://doi.org/10.1063/1.107835Rojas-Ramírez, J. S.; Goldhahn, R.; Moser, P.; Huerta-Ruelas, J.; Hernández-Rosas, J.; López-López, M. (2008). Temperature dependence of the photoluminescence emission from InxGa1-xAs quantum wells on GaAs(311) substrates. Journal of Applied Physics, 104(12), pp. 1–6. https://doi.org/10.1063/1.3043578Schowalter, M.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D. (2006). Influence of surface segregation on the optical properties of semiconductor quantum wells. Applied Physics Letters, 88(11), pp. 111906. https://doi.org/10.1063/1.2184907Shan, R.; Liu, Y.; Guo, J.; Wang, G.; Xu, Y. (2016). Growth and characterization of high strain InGaAs/GaAs quantum well by molecular beam epitaxy. 10157, pp. 101573F. https://doi.org/10.1117/12.2247398Smith, D. L.; Mailhiot, C. (1988). Piezoelectric effects in strained‐layer superlattices. Journal of Applied Physics, 63(8), pp. 2717–2719. https://doi.org/10.1063/1.340965Song, K.-M.; Kim, J.-M.; Kang, B.-K.; Yoon, D.-H.; Kang, S.; Lee, S.-W.; Lee, S.-N. (2012). Characteristics of indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells grown on a-plane and c-plane GaN. Applied Physics Letters, 100(21), pp. 212103. https://doi.org/10.1063/1.4720507Srinivasan, T.; Muralidharan, R.; Mehta, S. K.; Jain, B. P.; Singh, S. N.; Jain, R. K.; Kumar, V. (2001). Characterisation of molecular beam epitaxy-grown InGaAs multilayer structures using photoluminescence. Vacuum, 60(4), pp. 425–429. https://doi.org/10.1016/S0042-207X(00)00223-2Sun, D.; Towe, E. (1994). Strain-Generated Internal Fields in Pseudomorphic (In, Ga)As/GaAs Quantum Well Structures on {11l} GaAs Substrates. Japanese Journal of Applied Physics, 33(Part 1, No. 1B), pp. 702–708. https://doi.org/10.1143/JJAP.33.702Vurgaftman, I.; Meyer, J. R.; Ram-Mohan, L. R. (2001). Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics, 89(11 I), pp. 5815–5875. https://doi.org/10.1063/1.1368156Wu, S.; Huang, Z.; Liu, Y.; Huang, Q.; Guo, W.; Cao, Y. (2009a). The effects of indium segregation on the valence band structure and optical gain of GaInAs/GaAs quantum wells. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 41(9), pp. 1656–1660. https://doi.org/10.1016/j.physe.2009.05.019Wu, S.; Huang, Z.; Liu, Y.; Huang, Q.; Guo, W.; Cao, Y. (2009b). The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 46(4), pp. 618–626. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2009.06.001Yildirim, H.; Tomak, M. (2006). Optical absorption of a quantum well with an adjustable asymmetry. The European Physical Journal B, 50(4), pp. 559–564. https://doi.org/10.1140/epjb/e2006-00182-1https://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/download/1511/1431Núm. 36 , Año 2021 :143636020 pp. 118Revista EIAPublicationOREORE.xmltext/xml2794https://repository.eia.edu.co/bitstreams/7973a67a-bb23-4f66-b9a7-66707f00b96f/download888bb96c3cf5d5d1d81dde5ded484969MD5111190/5157oai:repository.eia.edu.co:11190/51572023-07-25 17:11:34.571https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0Revista EIA - 2021metadata.onlyhttps://repository.eia.edu.coRepositorio Institucional Universidad EIAbdigital@metabiblioteca.com |