DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DOPADAS DE A-SI:H (TIPO N O TIPO P)
El silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) surge como un material prometedor en la industria fotovoltaica gracias a su alto coeficiente de absorción y a su bajo costo de producción. En este trabajo se estudiaron las propiedades ópticas y eléctricas de películas de a-Si:H dopadas tipo p y tipo n tales co...
- Autores:
-
Sarmiento Chávez, Ana Carolina
Moreno Moreno, Mario
Torres Jacacome, Alfonso
García Barrientos, Abel
Plaza Casastillo, Jairo
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2016
- Institución:
- Universidad EIA .
- Repositorio:
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- Acceso en línea:
- https://repository.eia.edu.co/handle/11190/4975
https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.962
- Palabra clave:
- Silicio amorfo
silicio hidrogenado
silicio amorfo dopado
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El silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) surge como un material prometedor en la industria fotovoltaica gracias a su alto coeficiente de absorción y a su bajo costo de producción. En este trabajo se estudiaron las propiedades ópticas y eléctricas de películas de a-Si:H dopadas tipo p y tipo n tales como: transmitancia, coeficiente de absorción, conductividad, energía de activación y espesor. Dichas películas se fabricaron mediante la técnica Depósito Químico en fase Vapor Asistido por Plasma (PECVD, por su sigla en inglés) a baja frecuencia con una temperatura de sustrato de 300 °C, variando el flujo de hidrógeno y de los gases dopantes. La caracterización de las películas se hizo mediante las técnicas de caracterización eléctrica, transmisión óptica y elipsometría UV – Visible. Los resultados muestran que el silicio amorfo hidrogenado es una buena alternativa para la fabricación de dispositivos fotovoltaicos. |
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