DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DOPADAS DE A-SI:H (TIPO N O TIPO P)

El silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) surge como un material prometedor en la industria fotovoltaica gracias a su alto coeficiente de absorción y a su bajo costo de producción. En este trabajo se estudiaron las propiedades ópticas y eléctricas de películas de a-Si:H dopadas tipo p y tipo n tales como: transmitancia, coeficiente de absorción, conductividad, energía de activación y espesor. Dichas películas se fabricaron mediante la técnica Depósito Químico en fase Vapor Asistido por Plasma (PECVD, por su sigla en inglés) a baja frecuencia con una temperatura de sustrato de 300 °C, variando el flujo de hidrógeno y de los gases dopantes. La caracterización de las películas se hizo mediante las técnicas de caracterización eléctrica, transmisión óptica y elipsometría UV – Visible. Los resultados muestran que el silicio amorfo hidrogenado es una buena alternativa para la fabricación de dispositivos fotovoltaicos.

• Autores: Sarmiento Chávez, Ana Carolina; Moreno Moreno, Mario; Torres Jacacome, Alfonso; García Barrientos, Abel; Plaza Casastillo, Jairo
• Tipo de recurso: Article of journal
• Fecha de publicación: 2016
• Institución: Universidad EIA .
• Repositorio: Repositorio EIA .
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repository.eia.edu.co:11190/4975
• Acceso en línea: https://repository.eia.edu.co/handle/11190/4975; https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.962
• Palabra clave: Silicio amorfo; silicio hidrogenado; silicio amorfo dopado; películas de silicio amorfo; películas semiconductoras dopadas; películas de silicio hidrogenado.
• Rights: openAccess
• License: Revista EIA - 2016