POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES

Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan...

Full description

Autores:: Martínez Rendón, Valentina
Castaño Uribe, Carolina
Giraldo Martínez, Andrea
González Pereira, Juan Pablo
Restrepo Arango, Ricardo León
Morales Aramburo, Álvaro Luis
Duque Echeverri, Carlos Alberto

Tipo de recurso:: Article of journal

Fecha de publicación:: 2016

Institución:: Universidad EIA .

Repositorio:: Repositorio EIA .

Idioma:: spa

Description
Summary:	Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parámetros que definen la geometría del potencial de Morse para representar la inter-difusión entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificación óptica no lineal en función de la energía de los fotones incidentes y su resonancia con la energía de transición entre los dos estados. Se aplica un campo eléctrico en la dirección de crecimiento del pozo cuántico y un campo magnético perpendicular a la heteroestructura con el fin estudiar los corrimientos de los picos de la respuesta óptica en el espectro de los fotones incidentes.

POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES

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