Energía de enlace de excitones en pozos cuánticos de Gaas/Ga1-xa1xas
El uso de las estructuras de baja dimensionalidad es un elemento tecnológico clave en la creación de nuevos dispositivos cuánticos funcionales de la siguiente generación de circuitos integrados electrónicos, fotónicos y espintrónicos y muchos otros dispositivos nanotecnológicos que son necesarios pa...
- Autores:
-
Aristizábal, P. (Parménides)
Restrepo-Arango, R. L. (Ricardo León)
Ospina-Muñoz, W. A. (Walter Antonio)
Duque-Echeverri, C. A. (Carlos Alberto)
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2007
- Institución:
- Universidad EIA .
- Repositorio:
- Repositorio EIA .
- Idioma:
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- OAI Identifier:
- oai:repository.eia.edu.co:11190/584
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- Palabra clave:
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El uso de las estructuras de baja dimensionalidad es un elemento tecnológico clave en la creación de nuevos dispositivos cuánticos funcionales de la siguiente generación de circuitos integrados electrónicos, fotónicos y espintrónicos y muchos otros dispositivos nanotecnológicos que son necesarios para la sociedad de la información del siglo XXI. Una de las propiedades ópticas más importante es la fotoluminiscencia producida por agentes tales como impurezas y excitones en pozos, hilos y puntos cuánticos de arseniuro de galio GaAs con dimensiones nanométricas bajo la influencia de campos eléctricos y magnéticos y presiones externas. Se presenta la energía de enlace para los tres primeros estados excitónicos en pozos cuánticos de GaAs/Ga1-xA1xAs describiendo el sistema por medio de la teoría cuántica, en la aproximación de masa efectiva y usando el método variacional. |
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Una de las propiedades ópticas más importante es la fotoluminiscencia producida por agentes tales como impurezas y excitones en pozos, hilos y puntos cuánticos de arseniuro de galio GaAs con dimensiones nanométricas bajo la influencia de campos eléctricos y magnéticos y presiones externas. Se presenta la energía de enlace para los tres primeros estados excitónicos en pozos cuánticos de GaAs/Ga1-xA1xAs describiendo el sistema por medio de la teoría cuántica, en la aproximación de masa efectiva y usando el método variacional.The use of low dimensional structures is a key technological element in the creation of new quantum functional devices in the development of the next generation of the electronic, photonic, and spintronic integrated circuits and many other nanoscaled devices that are necessary for the information society of 21st century. One of the most important optical properties is the photoluminescence produced by agents as impurities and excitons in GaAs quantum wells, wires, and dots with nanometric dimensions under the influence of electric and magnetic fields and external pressures. The binding energy for the first three excitonic states in GaAs/Ga1-xA1xAs quantum wells describing the system through quantum theory in the effective mass approximation and using the variational method is presented.6 p.application/pdfspaDerechos Reservados - Universidad EIA, 2020https://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/El autor de la obra, actuando en nombre propio, hace entrega del ejemplar respectivo y de sus anexos en formato digital o electrónico y autoriza a la ESCUELA DE INGENIERIA DE ANTIOQUIA, para que en los términos establecidos en la Ley 23 de 1982, Ley 44 de 1993, Decisión andina 351 de 1993, Decreto 460 de 1995, y demás normas generales sobre la materia, utilice y use por cualquier medio conocido o por conocer, los derechos patrimoniales de reproducción, comunicación pública, transformación y distribución de la obra objeto del presente documento. PARÁGRAFO: La presente autorización se hace extensiva no sólo a las dependencias y derechos de uso sobre la obra en formato o soporte material, sino también para formato virtual, electrónico, digital, y en red, internet, extranet, intranet, etc., y en general en cualquier formato conocido o por conocer. EL AUTOR, manifiesta que la obra objeto de la presente autorización es original y la realiza sin violar o usurpar derechos de autor de terceros, por lo tanto la obra es de exclusiva autoría y tiene la titularidad sobre la misma. PARÁGRAFO: En caso de presentarse cualquier reclamación o acción por parte de un tercero en cuanto a los derechos de autor sobre la obra en cuestión, EL AUTOR, asumirá toda la responsabilidad, y saldrá en defensa de los derechos aquí autorizados; para todos los efectos la ESCUELA DE INGENIERÍA DE ANTIOQUIA actúa como un tercero de buena fe.info:eu-repo/semantics/openAccessAtribución-NoComercialhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2REI00064ENERGÍAENERGYMATERIAL AVANZADOADVANCED MATERIALSMICROELECTRÓNICAMICROELECTRONICSESTRUCTURAS DE BAJA DIMENSIONALIDADNANOTECNOLOGÍAEXCITÓNPOZO CUÁNTICOHILO CUÁNTICOPUNTO CUÁNTICODIMENSIONAL STRUCTURESNANOTECHNOLOGYQUANTUM WELLEXCITONQUANTUM WIREQUANTUM DOTEnergía de enlace de excitones en pozos cuánticos de Gaas/Ga1-xa1xasArtículo de revistahttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionTexthttps://purl.org/redcol/resource_type/ARThttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85Escuela de Ingeniería de Antioquia EIAG. Bastard, E. E. Mendez, L. L. Chang and L. Esaki. Exciton binding energy in quantum wells. Phys. Rev. B 26, 1974-1979 (1982).R. L. Greene, K. K. Bajaj and D. E. Phelps. Energy levels of Wannier excitons in GaAs-Ga1-xAlxAs quantum-well structures. Phys. Rev. B 29, 1807-1812 (1984).J. M. Luttinger and W. Kohn. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields. Phys. 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