Liquid phase epitaxy growth system for semiconductor (2000)
En el desarrollo de este proyecto se logró fundamentalmente fabricar por la técnica de epitaxia en fase líquida y la caracterización por diferentes técnicas de modulación óptica, los materiales propuestos en los objetivos generales y específicos, cuye>s resultados más importantes fueron los siguientes: Para la región del gap indirecto de Ga1.x AlxAs ( concen:raciones de aluminio por encima del 40%) se obtuvieron resultados de fotoluminiscencia a baja temperatura, donde se demostró la alta calidad cristalina de las capas epitaxiales, y por medio de la técnica de termorreflectancia a temperatura ambiente, se obtuvo el valor de la ee1ergía del gap directo para bajas concentraciones, encontrándose una expresión cuadrática. para la dependencia de energía de la brecha directa conforme aumenta la concentración de . PJ. Se utilizó la técnica de epitaxia en fase líquida para crecer capas de GaAs tipo n dopadas con Sn.