Liquid phase epitaxy growth system for semiconductor
En el desarrollo de este proyecto se logró fundamentalmente fabricar por la técnica de epitaxia en fase líquida y la caracterización por diferentes técnicas de modulación óptica, los materiales propuestos en los objetivos generales y específicos, cuye>s resultados más importantes fueron los sigui...
- Autores:
-
Ariza Calderón, Hernando
- Tipo de recurso:
- Investigation report
- Fecha de publicación:
- 2000
- Institución:
- Ministerio de Ciencia, Tecnología e Innovación
- Repositorio:
- Repositorio Minciencias
- Idioma:
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- OAI Identifier:
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- Acceso en línea:
- https://repositorio.minciencias.gov.co/handle/20.500.14143/50661
- Palabra clave:
- Proyectos de investigación
Modulación óptica
Películas delgadas -- Investigaciones
Semiconductores
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Ariza Calderón, Hernando2024-02-09T04:10:26Z2024-02-09T04:10:26Z2000-02https://repositorio.minciencias.gov.co/handle/20.500.14143/50661En el desarrollo de este proyecto se logró fundamentalmente fabricar por la técnica de epitaxia en fase líquida y la caracterización por diferentes técnicas de modulación óptica, los materiales propuestos en los objetivos generales y específicos, cuye>s resultados más importantes fueron los siguientes: Para la región del gap indirecto de Ga1.x AlxAs ( concen:raciones de aluminio por encima del 40%) se obtuvieron resultados de fotoluminiscencia a baja temperatura, donde se demostró la alta calidad cristalina de las capas epitaxiales, y por medio de la técnica de termorreflectancia a temperatura ambiente, se obtuvo el valor de la ee1ergía del gap directo para bajas concentraciones, encontrándose una expresión cuadrática. para la dependencia de energía de la brecha directa conforme aumenta la concentración de . PJ. Se utilizó la técnica de epitaxia en fase líquida para crecer capas de GaAs tipo n dopadas con Sn.application/pdfspaUniversidad del QuindioColcienciasArmeniahttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccessAtribución 4.0 Internacional (CC BY 4.0)http://purl.org/coar/access_right/c_abf2Liquid phase epitaxy growth system for semiconductorInforme de investigaciónhttp://purl.org/coar/resource_type/c_18wshttp://purl.org/coar/resource_type/c_18ghhttp://purl.org/coar/resource_type/c_93fcTextinfo:eu-repo/semantics/reporthttp://purl.org/redcol/resource_type/INFinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85Proyectos de investigaciónModulación ópticaPelículas delgadas -- InvestigacionesSemiconductoresEstudiantes, Profesores, Comunidad científica colombiana, etc.224.000.00011130536095Liquid phase epitaxy growth system for semiconductor576.038.138529-96Departamento Administrativo de Ciencia, Tecnología e Innovación [CO] ColcienciasPrograma Nacional de CTeI en GeocienciasPublicationLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-815543https://repositorio.minciencias.gov.co/bitstreams/fa31257b-e0a8-4c4c-a7b8-831bacfea2dc/download73a5432e0b76442b22b026844140d683MD52ORIGINAL1113-05-360-95 INFORME FINAL.pdf1113-05-360-95 INFORME FINAL.pdfapplication/pdf48265238https://repositorio.minciencias.gov.co/bitstreams/214ce2b7-4cdc-47b3-b4a1-ea7dceb3d039/downloadb8ba0235ccc04b0e7c2b6b7caaa1f3e0MD5120.500.14143/50661oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/506612024-02-09 04:10:28.479https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/restrictedhttps://repositorio.minciencias.gov.coRepositorio Institucional de Mincienciascendoc@minciencias.gov.co |
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En el desarrollo de este proyecto se logró fundamentalmente fabricar por la técnica de epitaxia en fase líquida y la caracterización por diferentes técnicas de modulación óptica, los materiales propuestos en los objetivos generales y específicos, cuye>s resultados más importantes fueron los siguientes: Para la región del gap indirecto de Ga1.x AlxAs ( concen:raciones de aluminio por encima del 40%) se obtuvieron resultados de fotoluminiscencia a baja temperatura, donde se demostró la alta calidad cristalina de las capas epitaxiales, y por medio de la técnica de termorreflectancia a temperatura ambiente, se obtuvo el valor de la ee1ergía del gap directo para bajas concentraciones, encontrándose una expresión cuadrática. para la dependencia de energía de la brecha directa conforme aumenta la concentración de . PJ. Se utilizó la técnica de epitaxia en fase líquida para crecer capas de GaAs tipo n dopadas con Sn. |
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