Reversible electron pumping and negative differential resistance in two-step barrier diode under strong terahertz ac field

A computational study, employing a Floquet-transfer-matrix approach, of the current in a model two-step barrier diode under intense ac fields in the terahertz range is reported. It is demonstrated that the field pumps a net tunnel current through the structure, which can exhibit a negative different...

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Autores:
Tipo de recurso:
Fecha de publicación:
2011
Institución:
Ministerio de Ciencia, Tecnología e Innovación
Repositorio:
Repositorio Minciencias
Idioma:
eng
OAI Identifier:
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Acceso en línea:
https://repositorio.minciencias.gov.co/handle/20.500.14143/21670
Palabra clave:
Teoría molecular
Conductores eléctricos
Teoría de la información
Análisis de sistemas
Modelos matemáticos
Electrones -- Partículas
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description A computational study, employing a Floquet-transfer-matrix approach, of the current in a model two-step barrier diode under intense ac fields in the terahertz range is reported. It is demonstrated that the field pumps a net tunnel current through the structure, which can exhibit a negative differential resistance and whose direction can be controlled by the ac-bias amplitude. These behaviors are seen to originate from the inelastic scattering of incoming electrons by absorption or emission of field quanta from a shape resonance present in the field-free structure.
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