Fabricación y caracterización de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos. (2011)
Con el presente proyecto se propone realizar el estudio del proceso de fabricación de heteroestructuras de GaSb/GaInAsSb/GaSb, mediante la técnica de Epitaxia en Fase Líquida. Para conseguir este objetivo se requiere de una fase previa en donde se determinen los parámetros óptimos de fabricación de cada una de las capas, es decir, del GaSb y del GaInAsSb sobre GaSb, para finalmente definir los parámetros para la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb. Se caracterizarán las películas por las técnicas de difracción de rayos X, para determinar la calidad epitaxial y cristalina; la calidad de la superficie se analizará mediante las técnicas de AFM y perfilometría; y el comportamiento eléctrico se estudiará por medio de curvas Corriente-Voltaje (I-V), Y Capacitancia-Voltaje (C-V). También se utilizarán las técnicas micro-Raman, FTIR y XPS para la caracterización complementaria de las diferentes capas de la heteroestructura. Con este estudio se propone hacer un aporte importante en el proceso de la fabricación de dispositivos, el cual ha sido uno de los objetivos propuestos por el grupo de Optoelectrónica como parte del Centro de Excelencia en Nuevos Materiales - CENM. Estas heteroestructuras tienen un amplio potencial de aplicación en celdas termofotovoltaicas y detectores en el rango del infrarrojo, utilizados no sólo en comunicación óptica si no también en la detección de contaminación ambiental.