Simulación computacional del crecimiento de metales de transacción 3d sobre las superficies polares y no polares de compuestos semiconductores.

La spin-electrónica, también conocida como espintrónica es un campo emergente de la física de materiales que combina elementos de magnetismo en pequeña escala con dispositivos electrónicos convencionales basados en semiconductores. Entre la gran variedad de sistemas y materiales que están siendo inv...

Full description

Autores:
González Hernández, Rafael Julián
Tipo de recurso:
Investigation report
Fecha de publicación:
2016
Institución:
Ministerio de Ciencia, Tecnología e Innovación
Repositorio:
Repositorio Minciencias
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/40055
Acceso en línea:
https://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/40055
http://colciencias.metabiblioteca.com.co
Palabra clave:
Física de superficies
Física de la Materia Condensada
Propiedades magnéticas de sólidos
Semiconductores magnéticos diluidos
Inmutación computacional de materiales
Rights
openAccess
License
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
Description
Summary:La spin-electrónica, también conocida como espintrónica es un campo emergente de la física de materiales que combina elementos de magnetismo en pequeña escala con dispositivos electrónicos convencionales basados en semiconductores. Entre la gran variedad de sistemas y materiales que están siendo investigados en este campo, se destacan en particular, los materiales semiconductores dopados con bajas concentraciones de metales de transición o tierras raras, conocidos como semiconductores magnéticos diluidos. Dentro de este grupo, los nitruros semiconductores, como el nitruro de galio (GaN) y nitruro de aluminio (AlN), tienen la ventaja de producir dispositivos que funcionan a temperatura ambiente y en el rango espectral azul/ultravioleta. Este proyecto se enfoca en el estudio del crecimiento de semiconductores magnéticos diluidos, en particular, de metales de transición (MT) 3d sobre las superficies polares y no polares de compuestos semiconductores GaN y AlN. El estudio se realizará mediante cálculos ab-initio (cálculos que se realizan aplicando únicamente las ecuaciones de la mecánica cuántica) de los procesos de adsorción e incorporación superficial de átomos de metales de transición 3d como el Sc, V, Ti, Mn y Cu; prestando particular atención a la relación entre las propiedades magnéticas y las condiciones de crecimiento.