Estudios teóricos en física de estado sólido: propiedades electrónicas de nuevos materiales semiconductores
1 documento
- Autores:
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 1990
- Institución:
- Ministerio de Ciencia Tecnología e Innovación
- Repositorio:
- Repositorio Institucional de Minciencias
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/50749
- Acceso en línea:
- https://repositorio.minciencias.gov.co/handle/20.500.14143/50749
- Palabra clave:
- Física --Investigaciones
Proyectos de investigación
Semiconductores
Estado sólido
- Rights
- License
- https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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Estudios teóricos en física de estado sólido: propiedades electrónicas de nuevos materiales semiconductoresFísica --InvestigacionesProyectos de investigaciónSemiconductoresEstado sólido1 documentoSe ha desarrollado un estudio teórico sobre algunas propiedades electrónicas de sistemas semiconductores nuevos, particularmente los de la familia de compuestos 11-VI (por ej. CdTe, HgTe, ZnTe, ZnSe, ZnS) y los denominados semiconductores magnéticos diluidos (DMS). Se ha calculado la estructura de bandas de estos materiales en volumen (cristales perfectos tridimensionales), superficies y superredes. Este informe se ha elaborado a partir de los artículos ya publicados y versiones preliminares de trabajos aún no publicados, que recogen resultados parciales del desarrollo mismo de este proyecto. Por lo tanto creemos necesario señalar que el presente informe está construido por capítulos independientes entre sí y puede ser leído sin requisitos de continuidad.O.- Introducción general. 1.- Potenciales de deformación de algunos Semiconductores 11-VI en estados K =O. 11 .- Estructura de banda de la superred CdTe-Zn Te. 111.- Estados interfaciales en la superred tensionada CdTe-ZnTe. IV.- Propiedades electrónicas de la super red tensionada de masa efectiva ZnSe-ZnS. V.- Propiedades electrónicas y ópticas de la superred tensionada de masa efectiva ZnSe-ZnS. VI.- Cálculo analítico de excitaciones superficiales, interfaciales y de superred: Caso unidimensional. Vil ,. - Estructura electrónica de superficies semi conductoras (00 1) MTe CM=Zn,Cd,Hg). VIII.- Un estudio por el método de enlaces fuertes de pozos cuánticos delgados de HgTe en CdTe. I X. - Densidad local de estados para interfaces de metales de transición. X. - Propiedades electrónicas y ópticas de semiconductores magnéticos diluídos (DMS). Xl .- Ondas de spin superficiales en heteroestructuras de semiconductores magntéticos diluí dosBogotá2024-02-14T14:48:32Z2024-02-14T14:48:32Z1990-06Informe de investigaciónhttp://purl.org/coar/resource_type/c_18wsTextinfo:eu-repo/semantics/reporthttp://purl.org/redcol/resource_type/INFhttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85http://purl.org/coar/resource_type/c_18ghhttp://purl.org/coar/resource_type/c_93fc340 p.application/pdfapplication/pdfhttps://repositorio.minciencias.gov.co/handle/20.500.14143/50749spahttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/Atribución 4.0 Internacional (CC BY 4.0)http://purl.org/coar/access_right/c_abf2Camacho B., AngelaGalán, Jorge LuisQuiroga, LuisRodríguez, Ferneyoai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/507492024-09-02T19:26:48Z |
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