Estudio de la impurificación de capas epitaxiales de GaAs y AIGaAs en el rango de leve hasta fuerte dopaje por medio de fotoluminiscencia y fotorreflectancia.

En este proyecto se lograron fabricar películas delgadas semiconductoras de GaInAsSb a partir de soluciones con tres diferentes concentraciones de los elementos constituyentes In, Sb, GaAs y Ga por la técnica de epitaxia en fase líquida. (Apartes del texto).

Autores:

Tipo de recurso:

Fecha de publicación:: 2002

Institución:: Ministerio de Ciencia Tecnología e Innovación

Repositorio:: Repositorio Institucional de Minciencias

Idioma:: spa

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