Caracterización óptica y fototérmica de películas delgadas semiconductoras fabricadas por epitaxia en fase liquida.
En este proyecto se lograron fabricar películas delgadas semiconductoras de GaInAsSb a partir de soluciones con tres diferentes concentraciones de los elementos constituyentes In, Sb, GaAs y Ga por la técnica de epitaxia en fase líquida. (Apartes del texto).
- Autores:
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2002
- Institución:
- Ministerio de Ciencia Tecnología e Innovación
- Repositorio:
- Repositorio Institucional de Minciencias
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- Palabra clave:
- Películas delgadas
Morfología
Epitaxia
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