Fabricación y caracterización de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos.

Con el presente proyecto se propone realizar el estudio del proceso de fabricación de heteroestructuras de GaSb/GaInAsSb/GaSb, mediante la técnica de Epitaxia en Fase Líquida. Para conseguir este objetivo se requiere de una fase previa en donde se determinen los parámetros óptimos de fabricación de...

Full description

Autores:
Tipo de recurso:
Fecha de publicación:
2011
Institución:
Ministerio de Ciencia Tecnología e Innovación
Repositorio:
Repositorio Institucional de Minciencias
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/37978
Acceso en línea:
https://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/37978
http://colciencias.metabiblioteca.com.co
Palabra clave:
Epitaxia en Fase Líquida
Heteroestructuras
Micro-Raman
Rayos X
Semiconductores
Rights
openAccess
License
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